درباره من
دکتر سعید محمدی
دانشیار گروه آموزشی الکترونیک @ دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
...
- آدرس گروه آموزشی الکترونیک، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، ایران
-
ایمیل
,
- تلفن (+98)2331532723
- محقق گوگل پروفایل
- اسکوپوس پروفایل
- Mendeley پروفایل
- وبسایت https://sdmohammadi.profile.semnan.ac.ir
محقق گوگل
(1404/1/7)استنادات
594h-index
14i10-index
22مؤلفین همکار
0اسکوپوس
(1404/1/9)استنادات
517مقالات
44h-index
14مؤلفین همکار
33رزومه
تحصیلات، تجارب، مهارت ها و علایق من
تحصیلات
1390
دکتری
دانشگاه تهران1380
کارشناسی ارشد
دانشگاه تربیت مدرس1378
کارشناسی
دانشگاه علم و صنعت ایرانتجارب
از ۱۳۸۱
تدریس دروس کارشناسی و کارشناسی ارشد مهندسی برق - الکترونیک
دانشگاه سمنان - دانشگاه صنعتی شاهرود - واحدهای دانشگاه آزاد1390-1395
مدیر پروژه ساخت لینکهای رادیویی مایکروویو
شرکت فناوری پردیس1385-1388
کارشناس ارشد R&D لینکهای مخابراتی مایکروویو
شرکت فناوری پردیسمهارت ها
مدل سازی و شبیه سازی افزاره های نیمه رسانا
طراحی و پیاده سازی تقویت کننده های توان فرکانس بالا
طراحی مدارات مایکرواستریپ
طراحی و پیاده سازی لینکهای رادیویی ماکروویو
اولویت های پژوهشی
افزاره های نیمه هادی نانوسایز
الکترونیک دو بعدی
طراحی و ساخت مدارات الکترونیک و لینکهای رادیویی
انتشارات
برخی از دستاورد های پژوهشی و فناوری
آخرین بروزرسانی: 1404/01/11
Investigating vertical charge plasma tunnel field effect transistors beyond semiclassical assumptions
Scientific Reports(2025)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,Paul K. Hurley,Lida Ansari,Farzan Gity
A tunable graphene dual mode absorber for efficient terahertz radiation absorption and sensing applications
DIAMOND AND RELATED MATERIALS(2024)نسترن کرانی,^سعید محمدی,Abdesselam Hocini,محمد دانائی*
A Novel Fin-Shape Double-Gate GaAs p-MOSFET With Intrinsic Source and Enhanced Switching Performance
IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION(2024)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Switching Performance Assessment of Bilayer PtSe<sub>2</sub> Tunneling Field Effect Transistor
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2024)احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب
Performance assessment of dual material vertical TFET based on staggered heterojunction of GaSb-Si
Micro and Nanostructures(2024)ایمان چهارده چریک*,^سعید محمدی
Fringe-Fields-Modulated Double-Gate Tunnel-FET Biosensor
Scientific Reports(2024)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Switching performance assessment of gate‑all‑around InAs–Si vertical TFET with triple metal gate, a simulation study
Nanoscale Research Letters(2023)داریوش مددی*,^سعید محمدی
Computational Modeling, Simulation and Tight–Binding Analysis of Electronic Characteristics of Defective Germanene Nanoribbons for Future Applications of High Sensitivity Ge-Based Nanosensors
ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)کمیل رحمانی,^سعید محمدی*
Vertical Tunneling FET with Ge/Si Doping-less Heterojunction, a High-Performance Switch for Digital Applications
Scientific Reports(2023)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,Subir Kumar Maity
A Novel Vertical Si TFET With Dual Doping-Less Tunneling Junction: A Simulation Study Including Trap-Related Non-Idealities
IEEE Access(2023)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Impact of trap‑related non‑idealities on the performance of a novel TFET‑based biosensor with dual doping‑less tunneling junction
Scientific Reports(2023)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Junction-less SOI FET with an Embedded p+ Layer: Investigation of DC, RF, and Negative Capacitance Characteristics
Silicon(2023)داریوش مددی*,^سعید محمدی
Charge Carrier Statistics-Based Analytical Model and Simulation of Optical Mechanisms in White Graphene for High-Quality FETs and Optoelectronic Applications
ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)کمیل رحمانی*,^سعید محمدی,عبدالله عباسی
Design Insights Into Switching Performance of Germanium Source L-Shaped Gate Dopingless TFET Based on Cladding Layer Concept
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2023)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Junctionless tunnel field-effect transistor with a modified auxiliary gate, a novel candidate for high-frequency applications
Micro and Nanostructures(2023)ایمان چهارده چریک*,عبدالله عباسی,Subir Kumar Maity,^سعید محمدی
Vertical Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source and T-Shaped Silicon Channel for Switching and Biosensing Applications: A Simulation Study
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Dielectric Modulated Doping-Less Tunnel Field-Effect Transistor, a Novel Biosensor Based on Cladding Layer Concept
IEEE SENSORS JOURNAL(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Double quantum-well nanotube tunneling field-effect transistor
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Vertical Cladding Layer-Based Doping-Less Tunneling Field Effect Transistor: A Novel Low-Power High-Performance Device
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
N+ Pocket Core-Shell Nanotube Tunnel Field-Effect Transistor
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)امیرسام آباد*,ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی
Cylindrical electron–hole bilayer TFET with a single surrounding gate and induced quantum confinement
Journal of Computational Electronics(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Tunneling FET based on defect-free, vacancy-defected, and passivated monolayer PtSe2 channel: A first principles study
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب
Ion-Sensitive Field-Effect Transistor-Based Biosensor for PSA Antigen Concentration Measurement Using Microfluidic System
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)امیر ازادی*,^سعید محمدی,پرویز کشاورزی
Recessed Gate Cylindrical Heterostructure TFET, a Device with Extremely Steep Subthreshold Swing
Transactions on Electrical and Electronic Materials(2022)دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم
Switching Performance Enhancement in Nanotube Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source Regions
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,علی اصغر اروجی
Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach
Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*
Analytical investigation on the electro‑optical characteristics of white graphene
Journal of Computational Electronics(2021)کمیل رحمانی,^سعید محمدی,محمد دانائی*
Switching Performance Investigation of a Gate‑All‑Around Core‑Source InGaAs/InP TFET
Transactions on Electrical and Electronic Materials(2021)دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم
Germanium‑source L‑shaped TFET with dual in‑line tunneling junction
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING(2021)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
Enhanced on-state current and suppressed ambipolarity in germanium-source dual vertical-channel TFET
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2021)ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*
اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی برروی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی
مهندسی برق دانشگاه تبریز(2021)سیده محجوبه سجادی,^سعید محمدی*
First principles characterization of defect-free and vacancy-defected monolayer PtSe2 gas sensors
SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL(2020)احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب
An Analytical Drain Current Model for the Cylindrical Channel Gate-All-Around Heterojunction Tunnel FETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,مرتضی فتحی پور
A Universal Analytical Potential Model for Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)^سعید محمدی*,دانیال کیقبادی
Physical and Analytical Modeling of Drain Current of Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2019)دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*
All-optical photonic crystal memory cells based on cavities with a dual-argument hysteresis feature
OPTICS COMMUNICATIONS(2019)علیرضا گراوند,محمد دانائی*,^سعید محمدی
A simulation study to improve the efficiency of ZnO1-xSx/Cu2ZnSn (SySe1-y)4 solar cells by composition-ratio control
OPTICAL MATERIALS(2018)سمانه شربتی*,احسان نوروز زاده,^سعید محمدی
Photonic crystal double-coupled cavity waveguides and their application in design of slow-light delay lines
Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications(2018)محمد دانائی*,علیرضا گراوند,^سعید محمدی
An Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2017)^سعید محمدی*,حمیدرضا تاجیک خاوه
Potential and Drain Current Modeling of Gate-All-Around Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2016)حمیدرضا تاجیک خاوه,^سعید محمدی*
Small-Signal Modeling of Graphene Barristors
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^سعید محمدی,پرویز کشاورزی
Characterization and Physical Modeling of Turn-On Voltage, Saturation Voltage and Transition Slope in Graphene Barristors
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY(2015)^سعید محمدی,پرویز کشاورزی
Simulation analysis of a novel fully depleted SOI MOSFET: electrical and thermal performance improvement through trapezoidally doped channel and silicon-nitride buried insulator
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)^سعید محمدی
بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون
دومین کنفرانس ملی زیر ساختهای انرژی مهندسی برق و نانوفناوری(2018-05-09)دانیال کیقبادی*,^سعید محمدی