سعید محمدی

Enhanced on-state current and suppressed ambipolarity in germanium-source dual vertical-channel TFET

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2021)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Switching Performance Investigation of a Gate‑All‑Around Core‑Source InGaAs/InP TFET

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2021)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی برروی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

مهندسی برق دانشگاه تبریز(2021)
سیده محجوبه سجادی,^سعید محمدی*

Germanium‑source L‑shaped TFET with dual in‑line tunneling junction

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING(2021)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Analytical investigation on the electro‑optical characteristics of white graphene

Journal of Computational Electronics(2021)
کمیل رحمانی,^سعید محمدی,محمد دانائی*

Tunneling FET based on defect-free, vacancy-defected, and passivated monolayer PtSe2 channel: A first principles study

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

Switching Performance Enhancement in Nanotube Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source Regions

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,علی اصغر اروجی

Double quantum-well nanotube tunneling field-effect transistor

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Recessed Gate Cylindrical Heterostructure TFET, a Device with Extremely Steep Subthreshold Swing

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2022)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم

Vertical Cladding Layer-Based Doping-Less Tunneling Field Effect Transistor: A Novel Low-Power High-Performance Device

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Cylindrical electron–hole bilayer TFET with a single surrounding gate and induced quantum confinement

Journal of Computational Electronics(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Dielectric Modulated Doping-Less Tunnel Field-Effect Transistor, a Novel Biosensor Based on Cladding Layer Concept

IEEE SENSORS JOURNAL(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source and T-Shaped Silicon Channel for Switching and Biosensing Applications: A Simulation Study

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*

Junctionless tunnel field-effect transistor with a modified auxiliary gate, a novel candidate for high-frequency applications

Micro and Nanostructures(2023)
ایمان چهارده چریک*,عبدالله عباسی,Subir Kumar Maity,^سعید محمدی

N+ Pocket Core-Shell Nanotube Tunnel Field-Effect Transistor

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
امیرسام آباد*,ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی

Ion-Sensitive Field-Effect Transistor-Based Biosensor for PSA Antigen Concentration Measurement Using Microfluidic System

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
امیر ازادی*,^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Design Insights Into Switching Performance of Germanium Source L-Shaped Gate Dopingless TFET Based on Cladding Layer Concept

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Switching performance assessment of gate‑all‑around InAs–Si vertical TFET with triple metal gate, a simulation study

Nanoscale Research Letters(2023)
داریوش مددی*,^سعید محمدی

Charge Carrier Statistics-Based Analytical Model and Simulation of Optical Mechanisms in White Graphene for High-Quality FETs and Optoelectronic Applications

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
کمیل رحمانی*,^سعید محمدی,عبدالله عباسی

Junction-less SOI FET with an Embedded p+ Layer: Investigation of DC, RF, and Negative Capacitance Characteristics

Silicon(2023)
داریوش مددی*,^سعید محمدی

A Novel Vertical Si TFET With Dual Doping-Less Tunneling Junction: A Simulation Study Including Trap-Related Non-Idealities

IEEE Access(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Impact of trap‑related non‑idealities on the performance of a novel TFET‑based biosensor with dual doping‑less tunneling junction

Scientific Reports(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Performance assessment of dual material vertical TFET based on staggered heterojunction of GaSb-Si

Micro and Nanostructures(2024)
ایمان چهارده چریک*,^سعید محمدی

Fringe-Fields-Modulated Double-Gate Tunnel-FET Biosensor

Scientific Reports(2024)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Vertical Tunneling FET with Ge/Si Doping-less Heterojunction, a High-Performance Switch for Digital Applications

Scientific Reports(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,Subir Kumar Maity

Computational Modeling, Simulation and Tight–Binding Analysis of Electronic Characteristics of Defective Germanene Nanoribbons for Future Applications of High Sensitivity Ge-Based Nanosensors

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
کمیل رحمانی,^سعید محمدی*

A tunable graphene dual mode absorber for efficient terahertz radiation absorption and sensing applications

DIAMOND AND RELATED MATERIALS(2024)
نسترن کرانی,^سعید محمدی,Abdesselam Hocini,محمد دانائی*

Switching Performance Assessment of Bilayer PtSe₂ Tunneling Field Effect Transistor

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2024)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

A Novel Fin-Shape Double-Gate GaAs p-MOSFET With Intrinsic Source and Enhanced Switching Performance

IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION(2024)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Simulation analysis of a novel fully depleted SOI MOSFET: electrical and thermal performance improvement through trapezoidally doped channel and silicon-nitride buried insulator

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی

Small-Signal Modeling of Graphene Barristors

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Characterization and Physical Modeling of Turn-On Voltage, Saturation Voltage and Transition Slope in Graphene Barristors

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY(2015)
^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Potential and Drain Current Modeling of Gate-All-Around Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2016)
حمیدرضا تاجیک خاوه,^سعید محمدی*

An Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2017)
^سعید محمدی*,حمیدرضا تاجیک خاوه

Photonic crystal double-coupled cavity waveguides and their application in design of slow-light delay lines

Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications(2018)
محمد دانائی*,علیرضا گراوند,^سعید محمدی

A simulation study to improve the efficiency of ZnO1-xSx/Cu2ZnSn (SySe1-y)4 solar cells by composition-ratio control

OPTICAL MATERIALS(2018)
سمانه شربتی*,احسان نوروز زاده,^سعید محمدی

All-optical photonic crystal memory cells based on cavities with a dual-argument hysteresis feature

OPTICS COMMUNICATIONS(2019)
علیرضا گراوند,محمد دانائی*,^سعید محمدی

Physical and Analytical Modeling of Drain Current of Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2019)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*

A Universal Analytical Potential Model for Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)
^سعید محمدی*,دانیال کیقبادی

An Analytical Drain Current Model for the Cylindrical Channel Gate-All-Around Heterojunction Tunnel FETs

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,مرتضی فتحی پور

First principles characterization of defect-free and vacancy-defected monolayer PtSe2 gas sensors

SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL(2020)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون

دومین کنفرانس ملی زیر ساختهای انرژی مهندسی برق و نانوفناوری(2018-05-09)
دانیال کیقبادی*,^سعید محمدی

بهبود مشخصات سوئيچينگ ترانزيستورهاي اثرميدان تونلي بدون ناخالصي.(راهنما ( بدون مشاور))

بهنوش نوربخش(2024-09-17)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدل هاي مقاومت اتصال پيوند نامتجانس فلز ـ گراف(راهنما)

راحله رضايي(2017-02-05)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر ساختار نانو لوله اي(راهنما ( بدون مشاور))

كورش صيادي(2022-09-21)، مقطع: كارشناسي ارشد

طراحي و بهبود مشخصات مدولاتورهاي نوري باند فرو سرخ(راهنما)

سيدمصطفي علوي(2022-02-07)، مقطع: كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستور اثر ميدان تونلي بدون پيوند بر پايه نيمه هادي هاي گروه III-V(راهنما ( بدون مشاور))

شبنم تيموري(2022-02-08)، مقطع: كارشناسي ارشد

تحليل و بهبود مشخصه سوييچينگ ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر موادTMD با موبليتي بالا(راهنما)

احسان نوروززاده(2024-03-12)، مقطع: دكتري

بررسي و بهبود مشخصات DC ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر مكانيزم تونل زني خطي(راهنما ( بدون مشاور))

ايمان چهارده چريك(2020-01-28)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي عمودي مبتني بر اتصالات غيرمتجانس(راهنما ( بدون مشاور))

نگين كوچك پور(2020-02-18)، مقطع: كارشناسي ارشد

طراحي و ساخت دستگاه لايه نشاني چرخشي(راهنما)

سيد احمد زارع گرجيكلائي(2019-09-16)، مقطع: كارشناسي ارشد

شبيه سازي و مدلسازي مشخصه جريان در ترانزيستورهاي اثرميدان تونلي (TFET) با ساختار نامتجانس(راهنما)

زهرا شمايلي(2018-09-18)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي،ارزيابي و بهبود مدلهاي تحليلي پتانسيل الكترواستاتيكي دركانال ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي دوگيتي(DG-TFET مبتني بر ساختارهاي نامتجانس(راهنما)

دانيال كيقبادي(2018-05-20)، مقطع: كارشناسي ارشد

اصلاح ساختار ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر ساختارهاي ناهمگون به منظور بهبود مشخصات الكتريكي افزاره(راهنما)

محمد ذاكر مشفق(2018-09-17)، مقطع: كارشناسي ارشد

مدلسازي تحليلي جريان درين در ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر نيمه هادي هاي گروه III-V(راهنما)

سيده محجوبه سجادي(2018-09-02)، مقطع: كارشناسي ارشد

پياده سازي يك دروازه منطقي با استفاده از بلور فوتوني(مشاور)

عليرضا گراوند(2018-01-20)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدلهاي تحليلي جريان درترانزيستور اثرميدان گرافني(GFET)(راهنما)

نجمه كارگر(2016-09-27)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي عملكرد TFET با كانال سيليكون تحت كرنش با جهت كريستالي(راهنما)

حمزه نقاش(2016-09-06)، مقطع: كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدل هاي تحليلي جريان در ترانزيستور اثر ميدان تونلي(راهنما)

حميدرضا تاجيك خاوه(2015-09-14)، مقطع: كارشناسي ارشد

الکترونیک کوانتومی   (1135 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

مدارهای الکتریکی ۱   (1160 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها

الکترونیک ۲   (1193 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

آشنایی با مهندسی برق   (937 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها

نانوالکترونیک   (1447 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک