سعید محمدی

TCAD-based evaluations of a high-performance, low-power dielectric modulated BioTFET with dopingless tunneling junctions

Micro and Nanostructures(2025)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,محمدرضا بیاتی نیا,فاطمه سیف

Investigating vertical charge plasma tunnel field effect transistors beyond semiclassical assumptions

Scientific Reports(2025)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,Paul K. Hurley,Lida Ansari,Farzan Gity

A tunable graphene dual mode absorber for efficient terahertz radiation absorption and sensing applications

DIAMOND AND RELATED MATERIALS(2024)
نسترن کرانی,^سعید محمدی,Abdesselam Hocini,محمد دانائی*

A Novel Fin-Shape Double-Gate GaAs p-MOSFET With Intrinsic Source and Enhanced Switching Performance

IEEE TRANSACTIONS ON DIELECTRICS AND ELECTRICAL INSULATION(2024)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Switching Performance Assessment of Bilayer PtSe₂ Tunneling Field Effect Transistor

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2024)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

Performance assessment of dual material vertical TFET based on staggered heterojunction of GaSb-Si

Micro and Nanostructures(2024)
ایمان چهارده چریک*,^سعید محمدی

Fringe-Fields-Modulated Double-Gate Tunnel-FET Biosensor

Scientific Reports(2024)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Switching performance assessment of gate‑all‑around InAs–Si vertical TFET with triple metal gate, a simulation study

Nanoscale Research Letters(2023)
داریوش مددی*,^سعید محمدی

Computational Modeling, Simulation and Tight–Binding Analysis of Electronic Characteristics of Defective Germanene Nanoribbons for Future Applications of High Sensitivity Ge-Based Nanosensors

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
کمیل رحمانی,^سعید محمدی*

Vertical Tunneling FET with Ge/Si Doping-less Heterojunction, a High-Performance Switch for Digital Applications

Scientific Reports(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,Subir Kumar Maity

A Novel Vertical Si TFET With Dual Doping-Less Tunneling Junction: A Simulation Study Including Trap-Related Non-Idealities

IEEE Access(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Impact of trap‑related non‑idealities on the performance of a novel TFET‑based biosensor with dual doping‑less tunneling junction

Scientific Reports(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Junction-less SOI FET with an Embedded p+ Layer: Investigation of DC, RF, and Negative Capacitance Characteristics

Silicon(2023)
داریوش مددی*,^سعید محمدی

Charge Carrier Statistics-Based Analytical Model and Simulation of Optical Mechanisms in White Graphene for High-Quality FETs and Optoelectronic Applications

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
کمیل رحمانی*,^سعید محمدی,عبدالله عباسی

Junctionless tunnel field-effect transistor with a modified auxiliary gate, a novel candidate for high-frequency applications

Micro and Nanostructures(2023)
ایمان چهارده چریک*,عبدالله عباسی,Subir Kumar Maity,^سعید محمدی

Design Insights Into Switching Performance of Germanium Source L-Shaped Gate Dopingless TFET Based on Cladding Layer Concept

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2023)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source and T-Shaped Silicon Channel for Switching and Biosensing Applications: A Simulation Study

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Dielectric Modulated Doping-Less Tunnel Field-Effect Transistor, a Novel Biosensor Based on Cladding Layer Concept

IEEE SENSORS JOURNAL(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Double quantum-well nanotube tunneling field-effect transistor

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Vertical Cladding Layer-Based Doping-Less Tunneling Field Effect Transistor: A Novel Low-Power High-Performance Device

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

N+ Pocket Core-Shell Nanotube Tunnel Field-Effect Transistor

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
امیرسام آباد*,ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی

Cylindrical electron–hole bilayer TFET with a single surrounding gate and induced quantum confinement

Journal of Computational Electronics(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Tunneling FET based on defect-free, vacancy-defected, and passivated monolayer PtSe2 channel: A first principles study

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

Ion-Sensitive Field-Effect Transistor-Based Biosensor for PSA Antigen Concentration Measurement Using Microfluidic System

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
امیر ازادی*,^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Recessed Gate Cylindrical Heterostructure TFET, a Device with Extremely Steep Subthreshold Swing

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2022)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم

Switching Performance Enhancement in Nanotube Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source Regions

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2022)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*,علی اصغر اروجی

Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*

Analytical investigation on the electro‑optical characteristics of white graphene

Journal of Computational Electronics(2021)
کمیل رحمانی,^سعید محمدی,محمد دانائی*

Switching Performance Investigation of a Gate‑All‑Around Core‑Source InGaAs/InP TFET

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2021)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,محدثه محترم

Germanium‑source L‑shaped TFET with dual in‑line tunneling junction

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING(2021)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

Enhanced on-state current and suppressed ambipolarity in germanium-source dual vertical-channel TFET

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2021)
ایمان چهارده چریک,^سعید محمدی*

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی برروی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

مهندسی برق دانشگاه تبریز(2021)
سیده محجوبه سجادی,^سعید محمدی*

First principles characterization of defect-free and vacancy-defected monolayer PtSe2 gas sensors

SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL(2020)
احسان نوروز زاده,^سعید محمدی*,مهدی مرادی نسب

An Analytical Drain Current Model for the Cylindrical Channel Gate-All-Around Heterojunction Tunnel FETs

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*,مرتضی فتحی پور

A Universal Analytical Potential Model for Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2019)
^سعید محمدی*,دانیال کیقبادی

Physical and Analytical Modeling of Drain Current of Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2019)
دانیال کیقبادی,^سعید محمدی*

All-optical photonic crystal memory cells based on cavities with a dual-argument hysteresis feature

OPTICS COMMUNICATIONS(2019)
علیرضا گراوند,محمد دانائی*,^سعید محمدی

A simulation study to improve the efficiency of ZnO1-xSx/Cu2ZnSn (SySe1-y)4 solar cells by composition-ratio control

OPTICAL MATERIALS(2018)
سمانه شربتی*,احسان نوروز زاده,^سعید محمدی

Photonic crystal double-coupled cavity waveguides and their application in design of slow-light delay lines

Photonics and Nanostructures-Fundamentals and Applications(2018)
محمد دانائی*,علیرضا گراوند,^سعید محمدی

An Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2017)
^سعید محمدی*,حمیدرضا تاجیک خاوه

Potential and Drain Current Modeling of Gate-All-Around Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES(2016)
حمیدرضا تاجیک خاوه,^سعید محمدی*

Small-Signal Modeling of Graphene Barristors

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Characterization and Physical Modeling of Turn-On Voltage, Saturation Voltage and Transition Slope in Graphene Barristors

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY(2015)
^سعید محمدی,پرویز کشاورزی

Simulation analysis of a novel fully depleted SOI MOSFET: electrical and thermal performance improvement through trapezoidally doped channel and silicon-nitride buried insulator

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی

بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون

دومین کنفرانس ملی زیر ساختهای انرژی مهندسی برق و نانوفناوری(2018-05-09)
دانیال کیقبادی*,^سعید محمدی

بهبود مشخصات سوئیچینگ ترانزیستورهای اثرمیدان تونلی بدون ناخالصی.(راهنما ( بدون مشاور))

بهنوش نوربخش(2024-09-17)، مقطع: کارشناسی ارشد

تحلیل و بهبود مشخصه سوییچینگ ترانزیستورهای اثر میدان تونلی مبتنی بر موادTMD با موبلیتی بالا(راهنما)

احسان نوروززاده(2024-03-12)، مقطع: دکتری

بررسی و بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدان تونلی مبتنی بر ساختار نانو لوله ای(راهنما ( بدون مشاور))

کورش صیادی(2022-09-21)، مقطع: کارشناسی ارشد

بهبود مشخصات ترانزیستور اثر میدان تونلی بدون پیوند بر پایه نیمه هادی های گروه III-V(راهنما ( بدون مشاور))

شبنم تیموری(2022-02-08)، مقطع: کارشناسی ارشد

طراحی و بهبود مشخصات مدولاتورهای نوری باند فرو سرخ(راهنما)(مشاور)

سیدمصطفی علوی(2022-02-07)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی و بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدان تونلی عمودی مبتنی بر اتصالات غیرمتجانس(راهنما ( بدون مشاور))

نگین کوچک پور(2020-02-18)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی و بهبود مشخصات DC ترانزیستورهای اثر میدان تونلی مبتنی بر مکانیزم تونل زنی خطی(راهنما ( بدون مشاور))

ایمان چهارده چریک(2020-01-28)، مقطع: کارشناسی ارشد

طراحی و ساخت دستگاه لایه نشانی چرخشی(راهنما)

سید احمد زارع گرجیکلائی(2019-09-16)، مقطع: کارشناسی ارشد

شبیه سازی و مدلسازی مشخصه جریان در ترانزیستورهای اثرمیدان تونلی (TFET) با ساختار نامتجانس(راهنما)

زهرا شمایلی(2018-09-18)، مقطع: کارشناسی ارشد

اصلاح ساختار ترانزیستورهای اثر میدان تونلی مبتنی بر ساختارهای ناهمگون به منظور بهبود مشخصات الکتریکی افزاره(راهنما)

محمد ذاکر مشفق(2018-09-17)، مقطع: کارشناسی ارشد

مدلسازی تحلیلی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی مبتنی بر نیمه هادی های گروه III-V(راهنما)

سیده محجوبه سجادی(2018-09-02)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی،ارزیابی و بهبود مدلهای تحلیلی پتانسیل الکترواستاتیکی درکانال ترانزیستورهای اثر میدان تونلی دوگیتی(DG-TFET مبتنی بر ساختارهای نامتجانس(راهنما)

دانیال کیقبادی(2018-05-20)، مقطع: کارشناسی ارشد

پیاده سازی یک دروازه منطقی با استفاده از بلور فوتونی(مشاور)

علیرضا گراوند(2018-01-20)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی، ارزیابی و بهبود مدل های مقاومت اتصال پیوند نامتجانس فلز ـ گراف(راهنما)

راحله رضایی(2017-02-05)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی، ارزیابی و بهبود مدلهای تحلیلی جریان درترانزیستور اثرمیدان گرافنی(GFET)(راهنما)

نجمه کارگر(2016-09-27)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی عملکرد TFET با کانال سیلیکون تحت کرنش با جهت کریستالی(راهنما)

حمزه نقاش(2016-09-06)، مقطع: کارشناسی ارشد

بررسی، ارزیابی و بهبود مدل های تحلیلی جریان در ترانزیستور اثر میدان تونلی(راهنما)

حمیدرضا تاجیک خاوه(2015-09-14)، مقطع: کارشناسی ارشد

Field Effect Transistors

Field Effect Transistors

الکترونیک کوانتومی   (1195 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

الکترونیک ۲   (1280 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

آشنایی با مهندسی برق   (991 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها

نانوالکترونیک   (1506 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

مدارهای الکتریکی ۱   (1239 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها