سعید محمدی

Potential and Drain Current Modeling of Gate-All-Around Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE Transactions on Electron Devices(2016)
9211119003, ^سعید محمدی*

An Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs Considering the Junctions Depletion Regions and the Channel Mobile Charge Carriers

IEEE Transactions on Electron Devices(2017)
^سعید محمدی*, 9211119003

Photonic crystal double-coupled cavity waveguides and their application in design of slow-light delay lines

PHOTONICS AND NANOSTRUCTURES-FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS(2018)
^محمد دانائی*, 9411119020, ^سعید محمدی

A simulation study to improve the efficiency of ZnO1-xSx/Cu2ZnSn (SySe1-y)4 solar cells by composition-ratio control

OPTICAL MATERIALS(2018)
^سمانه شربتی*, 9521107004, ^سعید محمدی

All-optical photonic crystal memory cells based on cavities with a dual-argument hysteresis feature

OPTICS COMMUNICATIONS(2019)
9411119020, ^محمد دانائی*, ^سعید محمدی

Physical and Analytical Modeling of Drain Current of Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2019)
9411119015, ^سعید محمدی*

A Universal Analytical Potential Model for Double-Gate Heterostructure Tunnel FETs

IEEE Transactions on Electron Devices(2019)
^سعید محمدی*, 9411119015

An Analytical Drain Current Model for the Cylindrical Channel Gate-All-Around Heterojunction Tunnel FETs

IEEE Transactions on Electron Devices(2019)
9411119015, ^سعید محمدی*, مرتضی فتحی پور

First principles characterization of defect-free and vacancy-defected monolayer PtSe2 gas sensors

SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL(2020)
9521107004, ^سعید محمدی*, مهدی مرادی نسب

Enhanced on-state current and suppressed ambipolarity in germanium-source dual vertical-channel TFET

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY(2021)
9611119005, ^سعید محمدی*

Switching Performance Investigation of a Gate‑All‑Around Core‑Source InGaAs/InP TFET

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2021)
دانیال کیقبادی, ^سعید محمدی*, محدثه محترم

اثر تله های موجود در شکاف باند انرژی برروی جریان درین در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی

مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز(2021)
9411119007, ^سعید محمدی*

Germanium‑source L‑shaped TFET with dual in‑line tunneling junction

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING(2021)
9611119005, ^سعید محمدی*

Analytical investigation on the electro‑optical characteristics of white graphene

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2021)
9811107003, ^سعید محمدی, ^محمد دانائی*

Tunneling FET based on defect-free, vacancy-defected, and passivated monolayer PtSe2 channel: A first principles study

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
9521107004, ^سعید محمدی*, مهدی مرادی نسب

Switching Performance Enhancement in Nanotube Double-Gate Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source Regions

IEEE Transactions on Electron Devices(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*, ^علی اصغر اروجی

Double quantum-well nanotube tunneling field-effect transistor

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*

Recessed Gate Cylindrical Heterostructure TFET, a Device with Extremely Steep Subthreshold Swing

Transactions on Electrical and Electronic Materials(2022)
دانیال کیقبادی, ^سعید محمدی*, محدثه محترم

Vertical Cladding Layer-Based Doping-Less Tunneling Field Effect Transistor: A Novel Low-Power High-Performance Device

IEEE Transactions on Electron Devices(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*

Cylindrical electron–hole bilayer TFET with a single surrounding gate and induced quantum confinement

JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*

Dielectric Modulated Doping-Less Tunnel Field-Effect Transistor, a Novel Biosensor Based on Cladding Layer Concept

IEEE SENSORS JOURNAL(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*

Vertical Tunneling Field-Effect Transistor With Germanium Source and T-Shaped Silicon Channel for Switching and Biosensing Applications: A Simulation Study

IEEE Transactions on Electron Devices(2022)
9611119005, ^سعید محمدی*

Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2021)
9411119015, ^سعید محمدی*

Junctionless tunnel field-effect transistor with a modified auxiliary gate, a novel candidate for high-frequency applications

Micro and Nanostructures(2023)
9611119005*, ^عبدالله عباسی, Subir Kumar Maity, ^سعید محمدی

N+ Pocket Core-Shell Nanotube Tunnel Field-Effect Transistor

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
امیرسام آباد*, ایمان چهارده چریک, ^سعید محمدی

Ion-Sensitive Field-Effect Transistor-Based Biosensor for PSA Antigen Concentration Measurement Using Microfluidic System

Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering (MSEEE)(2022)
9912107001*, ^سعید محمدی, ^پرویز کشاورزی

Design Insights Into Switching Performance of Germanium Source L-Shaped Gate Dopingless TFET Based on Cladding Layer Concept

IEEE Transactions on Electron Devices(2023)
9611119005, ^سعید محمدی*

Switching performance assessment of gate‑all‑around InAs–Si vertical TFET with triple metal gate, a simulation study

Nanoscale Research Letters (Discover Nano)(2023)
داریوش مددی*, ^سعید محمدی

Charge Carrier Statistics-Based Analytical Model and Simulation of Optical Mechanisms in White Graphene for High-Quality FETs and Optoelectronic Applications

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
9811107003*, ^سعید محمدی, ^عبدالله عباسی

Junction-less SOI FET with an Embedded p+ Layer: Investigation of DC, RF, and Negative Capacitance Characteristics

Silicon(2023)
داریوش مددی*, ^سعید محمدی

A Novel Vertical Si TFET With Dual Doping-Less Tunneling Junction: A Simulation Study Including Trap-Related Non-Idealities

IEEE Access(2023)
9611119005, ^سعید محمدی*

Impact of trap‑related non‑idealities on the performance of a novel TFET‑based biosensor with dual doping‑less tunneling junction

Scientific Reports(2023)
9611119005, ^سعید محمدی*

Vertical Tunneling FET with Ge/Si Doping-less Heterojunction, a High-Performance Switch for Digital Applications

Scientific Reports(2023)
ایمان چهارده چریک, ^سعید محمدی*, Subir Kumar Maity

Computational Modeling, Simulation and Tight–Binding Analysis of Electronic Characteristics of Defective Germanene Nanoribbons for Future Applications of High Sensitivity Ge-Based Nanosensors

ECS Journal of Solid State Science and Technology(2023)
9811107003, ^سعید محمدی*

Simulation analysis of a novel fully depleted SOI MOSFET: electrical and thermal performance improvement through trapezoidally doped channel and silicon-nitride buried insulator

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی

Small-Signal Modeling of Graphene Barristors

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES(2015)
^سعید محمدی, ^پرویز کشاورزی

Characterization and Physical Modeling of Turn-On Voltage, Saturation Voltage and Transition Slope in Graphene Barristors

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY(2015)
^سعید محمدی, ^پرویز کشاورزی

بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون

دومین کنفرانس ملی زیر ساختهای انرژی مهندسی برق و نانوفناوری(2018-05-09)
9411119015*, ^سعید محمدی

بررسي و بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر ساختار نانو لوله اي

صيادي كورش(تاریخ دفاع: 1401/06/30) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و بهبود مشخصات مدولاتورهاي نوري باند فرو سرخ

علوي سيدمصطفي(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و بهبود مشخصات مدولاتورهاي نوري باند فرو سرخ

علوي سيدمصطفي(تاریخ دفاع: 1400/11/18) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بهبود مشخصات ترانزيستور اثر ميدان تونلي بدون پيوند بر پايه نيمه هادي هاي گروه III-V

تيموري شبنم(تاریخ دفاع: 1400/11/19) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود مشخصات DC ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر مكانيزم تونل زني خطي

چهارده چريك ايمان(تاریخ دفاع: 1398/11/08) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي و بهبود عملكرد ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي عمودي مبتني بر اتصالات غيرمتجانس

كوچك پور نگين(تاریخ دفاع: 1398/11/29) ، مقطع : كارشناسي ارشد

طراحي و ساخت دستگاه لايه نشاني چرخشي

زارع گرجيكلائي سيد احمد(تاریخ دفاع: 1398/06/25) ، مقطع : كارشناسي ارشد

شبيه سازي و مدلسازي مشخصه جريان در ترانزيستورهاي اثرميدان تونلي (TFET) با ساختار نامتجانس

شمايلي زهرا(تاریخ دفاع: 1397/06/27) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي،ارزيابي و بهبود مدلهاي تحليلي پتانسيل الكترواستاتيكي دركانال ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي دوگيتي(DG-TFET مبتني بر ساختارهاي نامتجانس

كيقبادي دانيال(تاریخ دفاع: 1397/02/30) ، مقطع : كارشناسي ارشد

اصلاح ساختار ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر ساختارهاي ناهمگون به منظور بهبود مشخصات الكتريكي افزاره

ذاكر مشفق محمد(تاریخ دفاع: 1397/06/26) ، مقطع : كارشناسي ارشد

مدلسازي تحليلي جريان درين در ترانزيستورهاي اثر ميدان تونلي مبتني بر نيمه هادي هاي گروه III-V

سجادي سيده محجوبه(تاریخ دفاع: 1397/06/11) ، مقطع : كارشناسي ارشد

پياده سازي يك دروازه منطقي با استفاده از بلور فوتوني

گراوند عليرضا(تاریخ دفاع: 1396/10/30) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدلهاي تحليلي جريان درترانزيستور اثرميدان گرافني(GFET)

كارگر نجمه(تاریخ دفاع: 1395/07/06) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي عملكرد TFET با كانال سيليكون تحت كرنش با جهت كريستالي

نقاش حمزه(تاریخ دفاع: 1395/06/16) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدل هاي مقاومت اتصال پيوند نامتجانس فلز ـ گراف

رضايي راحله(تاریخ دفاع: 1395/11/17) ، مقطع : كارشناسي ارشد

بررسي، ارزيابي و بهبود مدل هاي تحليلي جريان در ترانزيستور اثر ميدان تونلي

تاجيك خاوه حميدرضا(تاریخ دفاع: 1394/06/23) ، مقطع : كارشناسي ارشد

الکترونیک کوانتومی   (746 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

نانوالکترونیک   (802 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

مدارهای الکتریکی ۱   (918 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها

الکترونیک ۲   (967 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : الکترونیک

آشنایی با مهندسی برق   (653 بار دانلود)

رشته : مهندسی برق , گرایش : همه گرایشها